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[学位论文] 作者：羊群思,,
来源：江南大学 年份：2019
得益于氮化镓(GaN)基半导体优越的材料特性,在过去20年间,GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)在高频功率放大器、高效电源开关及耐高温的集成电路等应用方面得到了快速发展。由于增强型(常关)HEMTs在电路设计上可以简化电路结构,减少设计复杂度及固有的失效保护优......
[期刊论文] 作者：王翔, 陈雷雷, 曹艳荣, 羊群思, 朱培敏, 杨国锋, 王,
来源：物理学报 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：羊群思,田葵葵,吴静,陈雷雷,刘楚乔,金宁,赵琳娜,闫大为,,
来源：微电子学 年份：2019
研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响.结果 表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低至1×10-12 A(偏压为-5 V),整流特性获得显...
[期刊论文] 作者：王翔,陈雷雷,曹艳荣,羊群思,朱培敏,杨国锋,王福学,闫大为,
来源：物理学报 年份：2018
可导线性位错被普遍认为是GaN基器件泄漏电流的主要输运通道,但其精细的电学模型目前仍不清楚.鉴于此,本文基于对GaN肖特基二极管的电流输运机制分析提出可导位错的物理模型,...
[期刊论文] 作者：王翔,陈雷雷,曹艳荣,羊群思,朱培敏,杨国锋,王福学,闫大为,顾,
来源：物理学报 年份：2018
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