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[学位论文] 作者：翟小崎,
来源：西安电子科技大学 年份：2023
ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料,具有优异的光电性能和压电性能,其禁带宽度为3.37e V,激子结合能为60me V,本征发射位于紫外区域,因此其适合用于制作高效率蓝色、紫外发光和探测器等光电器件。然而,实际应用中,ZnO的紫外发光效率很低,远达不到实际应用的标准,同......
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