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[期刊论文] 作者：林丽,聂圆燕,吴晓鸫,,
来源：电子与封装 年份：2012
文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多......
[会议论文] 作者：张世权,陈海峰,聂圆燕,
来源：中国电子学会第十三届青年学术年会 年份：2007
详细介绍了两种监控RTP设备的方法，分别研究了两种方法的基本原理，通过对两种方法所得结果的详细比较与分析，得出离子注入退火的方法有较好的重复性，在低温段(760～850度)退火后方......
[期刊论文] 作者：聂圆燕,郭晶磊,陈海峰,,
来源：电子与封装 年份：2010
芯片金属键合孔上的电化学侵蚀会引起封装时键合接触不好等问题，因此在芯片加工时消除电化学侵蚀非常重要。文章通过一个解决侵蚀斑问题的案例，找到了引起侵蚀斑的根本原因和有......
[期刊论文] 作者：朱赛宁,聂圆燕,陈海峰,
来源：电子与封装 年份：2012
文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过...
[会议论文] 作者：聂圆燕,陈海峰,赵文彬,
来源：中国电子学会第十三届青年学术年会 年份：2007
从理论上分析了当采用Ti 40nm+400℃ Al 450nm作为SOI流程的金属膜层时，器件参数异常甚至失效的原因，并通过实验验证了理论分析的正确性。在对实验数据进行对比分析后，得出了作...
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