搜索筛选:
搜索耗时0.8253秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 22 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：聂纪平,,
来源：中国集成电路 年份：2012
铜线键合工艺作为当前框架类集成电路封装降低成本的重要措施，但是，铜线带来的相关工艺调整和可靠性认证，以及客户的认证都是当前需要产品公司考虑的问题。本文对于铜线键合工艺......
[期刊论文] 作者：聂纪平,,
来源：电子与封装 年份：2013
文章针对集成电路产品的封装长期可靠性,提出了新的方法和标准;对集成电路产品的长期可靠性的考评,按照国际标准的要求进行了分析。对集成电路产品的实际长期老化筛选方面进...
[期刊论文] 作者：聂纪平,,
来源：中国集成电路 年份：2012
BL6352是一款输出功率可达15W的双声道D类音频功率放大器芯片。BL6352既可放大两路音频信号,驱动8Ω的立体声扬声器,也可以作为全差分放大器,桥接单一扬声器。该放大器主要应...
[期刊论文] 作者：聂纪平,
来源：科协论坛 年份：1996
颖上县科协近年来紧紧围绕县委、县政府提出的"科教兴县"战略目标,不断加大科学普及的力度,增强了全民的科技意识,加快了新技术、新成果的推广应用,为发展全县经济做出了贡献...
[期刊论文] 作者：聂纪平,
来源：中国集成电路 年份：2013
有源功率因数校正控制器主要应用于电子镇流器、LED灯驱动和AC/DC电源中。本文结合当前先进照明电源的要求,实现了微功耗启动,并且有静态电流和工作电流小、功耗低的特点,可...
[学位论文] 作者：聂纪平,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：1999
SOS(蓝宝石上外延硅)是一种优良的辐射加固半导体材料,在航天及国防领域得到了广泛的应用,但是由于SOS材料本身的特点,使它的应用受到一些限制.该工作主要针对SOS材料的一些...
[期刊论文] 作者：秦毅,聂纪平,,
来源：集成电路应用 年份：2013
随着集成电路设计技术的提高，利用模拟功率放大器进行模拟信号放大，如A类、B类放大器由于效率很低，基本上被淘汰。不同类型的数字放大器逐渐普及。这种放大器直接从数字语音数据......
[期刊论文] 作者：聂纪平,杜虹,,
来源：电子与封装 年份：2012
烟雾探测器控制专用电路是一种应用于火灾报警系统的大规模专用集成电路,该电路可以满足当前火灾报警系统的工业级需求。上海贝岭公司通过对国外同类电路的研究和吸收,对于光...
[期刊论文] 作者：徐鼎,聂纪平,,
来源：集成电路应用 年份：2005
程控交换机专用接口电路是上海贝岭公司拥有多项知识产权的大规模集成电路产品。本文以CSLIC电路(中国版用户接口电路)为例，详细介绍了上海贝岭公司在这种产品的设计、工艺、...
[期刊论文] 作者：王启元,聂纪平,
来源：半导体学报 年份：2000
亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件发展对高质量的１００－２００纳米厚度的薄层ＳＯＳ薄膜提出了更高的实验证帝；采用ＣＶＤ方法生长的原生ＳＯＳ薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进，该工艺包括：硅离子自注入和热退火，Ｘ射线......
[期刊论文] 作者：聂纪平,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：1999
本文研究了制作ＪＦＥＴ／ＳＯＳ（蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管）的方法，采用扩用形成栅极ｐ＾＋ｎ浅结以及复合注入的方法形成导电沟道，在不同的工艺条件下可得增强型和耗尽型器件，通过Ｃｏ＾６０源的γ射线辐射实......
[会议论文] 作者：聂纪平,王立铎,
来源：'96中国材料研讨会 年份：1996
该文利用射频溅射技术制备了聚四氟乙烯和非晶态氮化硅结构的多层膜，所得多层膜的电阻率高于单一的氮化硅膜和单一的聚四氟乙烯膜的电阻率，氮化硅／聚四氟乙烯多层膜与单一的氮化......
[期刊论文] 作者：聂纪平,魏晓东,张勇,,
来源：集成电路应用 年份：2012
烟雾探测器控制专用电路是一种应用于火灾报警系统的大规模专用集成电路,市场对该类产品的质量要求很高,低电压、静音功能以及新工艺应用是烟雾报警器芯片今后的发展趋势...
[期刊论文] 作者：魏晓东,聂纪平,张勇,,
来源：集成电路应用 年份：2012
通用液晶驱动器可以应用在早期的电子计量式电表中，随着我国智能电网的发展，对液晶驱动电路也提出了新的应用要求。...
[期刊论文] 作者：阮颐,李军,聂纪平,,
来源：中国集成电路 年份：2013
音频功放的稳定性是由环路频率响应的增益与相位曲线决定的。在设计时可以通过仿真软件分析，在实际测试时由于测试误差和动态范围的限制很难得到准确的结果。本文以AB类音频功......
[会议论文] 作者：聂纪平,谈毅平,朱朝晖,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
FIB(Focused Ion Beam)是聚焦离子束技术的简称.该技术集形貌观察、定位制样和电路修正等功能于一身,大大提高了大规模集成电路失效分析的精度和速度,使传统的微分析技术有了...
[会议论文] 作者：聂纪平,徐鼎,谈毅平,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
深亚微米CMOS/SOS器件发展对于厚度为200纳米左右的SOS外延薄膜提出了更高的要求.研究表明,采用固相外延工艺(SPE)改性的硅烷热分解生长SOS薄膜的电学特性有明显提高,材料的...
[期刊论文] 作者：余赵林,何友成,聂纪平,
来源：电子世界 年份：2013
实训教学中，电动机正反转和降压启动中的星形-三角形启动方式控制线路较为复杂，在教学中，如何让学生更好的学会两种控制电路的连接方式以及如何接受其控制线路的原理，是实训教学......
[期刊论文] 作者：王启元,聂纪平,刘忠立,郁元桓,
来源：半导体学报 年份：2004
亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100-200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求.实验证实;采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进.该...
[期刊论文] 作者：王启元,聂纪平,刘忠立,郁元桓,
来源：半导体学报 年份：2000
亚微米 CMOS/ SOS器件发展对高质量的 1 0 0 - 2 0 0纳米厚度的薄层 SOS薄膜提出了更高的要求 .实验证实 :采用 CVD方法生长的原生 SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得...
相关搜索：
