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[期刊论文] 作者：张春伟,刘斯扬,张艺,孙伟锋,苏巍,张爱军,刘玉伟,胡久利,,
来源：东南大学学报：自然科学版 年份：2015
研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理，以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对NBTI效应的影响．首先，通过电荷泵实验对NBTI应力带来的pMOSFET的界面损伤进行了测试，并利用TCAD仿真软件...
[期刊论文] 作者：张春伟,刘斯扬,张艺,孙伟锋,苏巍,张爱军,刘玉伟,胡久利,何骁伟,,
来源：东南大学学报(自然科学版) 年份：2015
研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理,以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对NBTI效应的影响.首先,通过电荷泵实验对NBTI应力带来的p M OSFET的界面损伤进行了测试,并利用TCAD仿...
Anomalous Channel Length Dependence of Hot-Carrier-Induced Saturation Drain Current Degradation in n
[期刊论文] 作者：张春伟,刘斯扬,孙伟锋,周雷雷,张艺,苏巍,张爱军,刘玉伟,胡久利,何骁伟,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
The dependencies of hot-carrier-induced degradations on the effective channel length L_(ch,eff) are investigated for n-type metal-oxide-semiconductor Held effec...
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