搜索筛选:
搜索耗时3.7108秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 16 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：胡增鑫,
来源：企业文化·中旬刊 年份：2014
摘 要：面对全球范围巨大的环保压力和严峻的能源形式，近年来，世界主要汽车生产国都把新能源汽车产业发展看作经济社会可持续发展的重大战略举措。我国新能源汽车产业发展尚处于起步阶段，当前面临的发展现状主要是资金、人才均有缺口；市场宣传力度还不够；新能源汽车的......
[学位论文] 作者：胡增鑫,
来源：南开大学 年份：2007
微晶硅锗与目前广泛研究的微晶硅材料相比具有带隙更窄，吸收系数更高等优点，作为叠层电池的底电池有源层材料将更有利于吸收太阳光中的长波部分，因此正在成为国际上研究的热点。......
[期刊论文] 作者：胡增鑫,
来源：安家（建筑与工程） 年份：2021
摘要：当前的房屋住宅建筑工程中经常会使用到框架剪力墙这项技术，框架剪力墙有着较强的承重能力。框架剪力墙的施工水平能够直接地影响到建筑的整体使用寿命与整体性能，伴随着城镇化建设的加快，现代建筑规模的不断扩大、施工项目增加的同时，也对框架剪力墙的施工提出......
[期刊论文] 作者：张建军,胡增鑫,谷士斌,赵颖,耿新华,
来源：半导体学报 年份：2007
优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件．通过测试材料暗电导的温度特性得出多晶硅锗材料的电导激活能，从而考察氢处理效果．结果表明，采用此技术可有效减少多晶硅锗薄膜中的缺陷......
[期刊论文] 作者：谷士斌,胡增鑫,张建军,孙建,杨瑞霞,
来源：光电子．激光 年份：2007
以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料。用喇曼光谱和扫描电子显微镜（SEM）对材料的结构进行了...
[期刊论文] 作者：张建军,胡增鑫,谷士斌,赵颖,耿新华,,
来源：半导体学报 年份：2007
优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件.通过测试材料暗电导的温度特性得出多晶硅锗材料的电导激活能,从而考察氢处理效果.结果表明,采用此技术可有效减少多晶硅锗薄膜中的...
[会议论文] 作者：谷士斌,胡增鑫,张建军,孙建,杨瑞霞,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
本文以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术在不同衬底温度和功率条件下制备了硅锗薄膜材料.我们首先对材料的光电导和暗电导进行了测量,通过研究材料的光、暗电导的比值来分析材料的光学特性,然后用喇曼光谱和X射线衍射对材料的结构进行......
[会议论文] 作者：胡增鑫,张建军,谷士斌,孙健,赵颖,耿新华,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
实验中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法,以GeF4+Si2H6+H2作为反应气体,改变GeFe气体流量,在250℃～300℃的普通玻璃衬底上制备出不同Ge含量的μc-SiGe材料.通过Raman和XRD研究材料的结晶性,CPM法测试材料的光学吸收特性,并且结合光/暗电导等......
Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted re
[期刊论文] 作者：张丽平,张建军,尚泽仁,胡增鑫,耿新华,赵颖,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
A new preparing technology,very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition (VHFPA-RTCVD),is introduced to prepare SiGe:H thin fi...
[期刊论文] 作者：尚泽仁,张建军,张丽萍,胡增鑫,孙建,薛俊明,赵颖,耿新华,,
来源：光电子.激光 年份：2008
以SiH4和GeF4为反应气体，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）方法制备了P型微晶硅锗（P-μc-Sil-xGex）薄膜。研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影...
[会议论文] 作者：张建军;张丽平;尚泽仁;张鑫;胡增鑫;张亚萍;孙建;耿新华;赵颖;,
来源：第十届中国太阳能光伏会议 年份：2008
本文采用甚高频PECVD法,对比了SiH4+GeH4和SiH4+GeF4两种气体组合制备微晶硅锗薄膜的效果。Raman测试结果显示GeH4的增加导致薄膜晶化率降低,而GeF4可以促进材料的晶化。通过...
[会议论文] 作者：张丽平;张建军;张鑫;胡增鑫;尚泽仁;张亚萍;张德坤;孙建;赵颖;,
来源：第十届中国太阳能光伏会议 年份：2008
本文研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积VHF-PECVD技术制备的微晶硅锗薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料...
[会议论文] 作者：王涛,宋鑫,潘清涛,胡增鑫,贺天太,贾海军,麦耀华,张铭,严辉,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅薄膜晶化率计算方法.解决了由于铝诱导晶化硅薄膜过程中不同区域晶化率差异,导致总晶化率统计上困难的问题.针对我们的研究结果,进......
[会议论文] 作者：沈华龙,严辉,王辉,潘清涛,宋鑫,耿梅艳,胡增鑫,贾海军,麦耀华,张铭,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
为获得低折射率和高电导率要求的中间层薄膜,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术, 在低氢气流量下制备了n 型非晶硅氧薄膜.本文研究了CO2/SiH4气体流量比、硅烷浓度、沉积功率和PH3 掺杂浓度等工艺参数对硅氧薄膜的沉积速率,折射率,电导率,晶化率......
[会议论文] 作者：许盛之,赵庚申,耿新华,赵颖,张晓丹,孙福河,王光红,岳强,魏长春,孙建,张德坤,胡增鑫,
来源：第十届中国太阳能光伏会议 年份：2008
利用VHF-PECVD(75MHz)技术,采用高氢稀释SiH4、及B2H6掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40％的p层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中,用同样工艺条件沉积20nm厚的p层,获得了效率达到4.97％的电......
[会议论文] 作者：王涛[1]宋鑫[2]潘清涛[2]胡增鑫[2]贺天太[2]贾海军[2]麦耀华[2]张铭[3]严辉[3],
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅薄膜晶化率计算方法.解决了由于铝诱导晶化硅...
相关搜索：
