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[学位论文] 作者：胡官昊,
来源： 年份：2017
GaN(gallium nitride)功率器件以其优于传统Si功率器件的高开关速度、低导通电阻等特性而有望被广泛应用于高频、高功率密度的功率转换领域。其快速开关特性在降低器件开关损耗的同时有助于提升系统开关频率从而减小系统体积,低导通电阻特性则在降低器件导通损......
[期刊论文] 作者：胡官昊, 陈万军, 施宜军, 周琦, 张波,,
来源：电源学报 年份：2016
氮化镓功率器件以其优异的高速、高效特性而有望在电源转换领域取得广泛应用。在Buck开关电源应用中,系统采用GaN HEMT替换传统Si功率器件后,系统死区损耗成为阻碍系统效率提...
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