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[学位论文] 作者：胡林聪,,
来源：合肥工业大学 年份：2017
随着集成电路的工艺水平进入到纳米层级时,器件的诸多负面效应逐渐突显出来,其中负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability, NBTI)效应成为影响集成电路可...
[期刊论文] 作者：胡林聪,易茂祥,丁力,朱炯,刘小红,梁华国,
来源：合肥工业大学学报：自然科学版 年份：2018
针对现有方案通过输入向量控制(input vector control,IVC)结合门替换(gate replacement,GR)技术缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)引起...
[期刊论文] 作者：朱炯,易茂祥,张姚,胡林聪,刘小红,梁华国,,
来源：应用科学学报 年份：2017
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终使电...
[期刊论文] 作者：易茂祥,刘小红,吴清焐,朱炯,胡林聪,梁华国,,
来源：计算机辅助设计与图形学学报 年份：2017
针对现有多输入向量控制(M-IVC)缓解负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的电路老化的方法仅考虑到输入信号占空比约束的问题,提出一种同时优化输入信号占空比和随机性的M-IVC方法.首先采用遗传算法求解出电路的最优输入占空比;然后在最优占空比约束下产生具有随机性......
[期刊论文] 作者：朱炯,易茂祥,张姚,胡林聪,刘小红,程龙,黄正峰,,
来源：电子测量与仪器学报 年份：2016
纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应会导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终导...
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