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[学位论文] 作者：胡海争,
来源：浙江理工大学 年份：2023
氧化镓（Ga2O3）作为新型宽禁带半导体材料,存在α、β、γ、δ、ε和k六种晶体,禁带宽度约为4.9e V,具有优异的物理化学性能,引起了诸多学者的广泛关注。外延薄膜是器件的有源层,高质量的Ga2O3外延膜是制备各类器件的基石。目前,Ga2O3外延薄膜生长技术存在生长温度......
[期刊论文] 作者：贺怀乐,赖黎,胡海争,王顺利,刘爱萍,吴超,吴锋民,郭道友,
来源：光学学报 年份：2023
GaN具有宽带隙、高量子效率、优异的热稳定和抗辐射等特性，在高频、高功率电子及紫外光电器件中有着重要的作用。然而，目前制备GaN外延膜的方法需要极高的温度（＞1000℃）来裂解氮源（NH3），既容易产生有毒的或有腐蚀的污染气体，又增加了薄膜中的氮空位浓度和热应力，进而影响G......
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