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[学位论文] 作者：腰彩红,,
来源：河北工业大学 年份：2018
随着极大规模集成电路（GLSI）工业规模的发展,特征尺寸已进入14nm以下,且制造工艺越来越复杂。化学机械平坦化（CMP）是GLSI制造关键工艺之一,是实现铜膜全局和局部平坦化的最有效方......
[期刊论文] 作者：贾英茜,牛新环,腰彩红,,
来源：微电子学 年份：2017
化学机械抛光(CMP)工艺是IC工艺中大马士革工序的关键步骤。抛光液的电化学行为研究对抛光质量的控制具有重要意义。采用电化学测试手段,研究碱性抛光液中氧化剂(H_2O_2)对铜...
[期刊论文] 作者：牛新环,王建超,赵欣,腰彩红,,
来源：微纳电子技术 年份：2016
针对光学石英玻璃在表面化学机械抛光(CMP)过程中易出现表面及亚表面损伤和蚀坑等缺陷问题,提出了采用低抛光压力和低磨料体积分数的CMP方法。机械作用是引起表面及亚表面损...
[期刊论文] 作者：赵欣, 牛新环, 王建超, 殷达, 腰彩红,,
来源：微电子学 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：腰彩红, 牛新环, 赵欣, 王辰伟, 刘玉岭,,
来源：半导体技术 年份：2004
随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点。以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值...
[期刊论文] 作者：王彦,王胜利,王辰伟,田胜骏,腰彩红,田骐源,,
来源：半导体技术 年份：2017
研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响。对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下的抛光液表面张力、铜去除速率、抛光后铜膜...
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