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[期刊论文] 作者：李佳,蔚翠,刘庆彬,芦伟立,冯志红,杨霏,,
来源：半导体技术 年份：2013
在偏向晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进...
[期刊论文] 作者：卜爱民, 房玉龙, 李佳, 芦伟立, 赵丽霞, 杨龙, 尹甲,
来源：半导体技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：刘庆彬,蔚翠,何泽召,王晶晶,李佳,芦伟立,冯志红,,
来源：物理化学学报 年份：2016
化学气相沉积（CVD）法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长...
[期刊论文] 作者：刘庆彬,蔚翠,何泽召,王晶晶,李佳,芦伟立,冯志红,,
来源：半导体技术 年份：2016
通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微...
[期刊论文] 作者：房玉龙,张志荣,尹甲运,王波,芦伟立,高楠,陈秀芳,
来源：半导体技术 年份：2022
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而，随着单晶直径的扩大，如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布，模拟结果表明微凸温场生长的晶体外形更加平整。......
[期刊论文] 作者：张志荣,房玉龙,尹甲运,郭艳敏,王波,王元刚,李佳,芦伟立,,
来源：物理学报 年份：2018
研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研...
[期刊论文] 作者：王波,房玉龙,尹甲运,刘庆彬,张志荣,郭艳敏,李佳,芦伟立,,
来源：物理学报 年份：2017
基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH3/H2混合气体对石墨烯表...
[期刊论文] 作者：钮应喜,芦伟立,王方方,王嘉铭,杨霏,李佳,冯志红,王永维,,
来源：智能电网 年份：2015
SiC作为一种宽禁带半导体材料,在高温、高压和大功率应用领域具有巨大的应用潜力,可促进全球能源互联网建设。掌握SiC材料缺陷控制技术以及对缺陷的表征和统计是SiC电力电子...
[期刊论文] 作者：周幸叶,谭鑫,王元刚,宋旭波,韩婷婷,李佳,芦伟立,顾国栋,,
来源：中国光学快报:英文版 年份：2019
Ultraviolet(UV) detectors with large photosensitive areas are more advantageous in low-level UV detection applications. In this Letter, high-performance 4 H-SiC...
[期刊论文] 作者：何泽召,杨克武,蔚翠,李佳,刘庆彬,芦伟立,冯志红,蔡树军,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
We report on an improved metal-graphene ohmic contact in bilayer epitaxial graphene on a SiC substrate with contact resistance below 0.1 Ω·mm.Monolayer and bi...
Large-area 4H-SiC avalanche photodiodes with high gain and low dark current for visible-blind ultrav
[期刊论文] 作者：周幸叶,李佳,芦伟立,王元刚,宋旭波,尹顺正,谭鑫,吕元杰,,
来源：中国光学快报：英文版 年份：2018
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[期刊论文] 作者：卜爱民,房玉龙,李佳,芦伟立,赵丽霞,杨龙,尹甲运,刘沛,冯志红,
来源：半导体技术 年份：2018
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High temperature characteristics of bilayer epitaxial graphene field-effect transistors on SiC Subst
[期刊论文] 作者：何泽召,杨克武,蔚翠,刘庆彬,王晶晶,李佳,芦伟立,冯志红,蔡树军,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
In this paper,high temperature direct current(DC) performance of bilayer epitaxial graphene device on SiC substrate is studied in a temperature range from 25℃...
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