搜索筛选:
搜索耗时4.2825秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 10 篇相符的论文内容
类      型:
[学位论文] 作者:苏向斌,, 来源:西北大学 年份:2004
随着光纤通讯和高速信息化的发展,作为光纤通信的光源,对半导体激光器的性能要求越来越高。因为半导体量子点独有的材料特性,国内外将目光聚焦到了高性能量子点激光器的研发...
[期刊论文] 作者:苏向斌,薛红,, 来源:山东工业技术 年份:2015
根据Maxwell方程组和矩形波导的边际条件解出矩形波导中电磁波的空间传输表达式,分析讨论减少矩形波导高度时通过狭窄通道电磁波的传输性质。绘制了ENZ通道的传输系数在矩形...
[期刊论文] 作者:薛红,董康军,席彩萍,苏向斌, 来源:材料导报:纳米与新材料专辑 年份:2015
从导波光学理论出发求解波动方程,得到了单模S01平板波导芯层入射光TE波和TM波对应的电场分布规律;研究了对称GRIN介质的光束耦合特性。对1550nm的通信波长而言,对称GRIN介质耦...
[期刊论文] 作者:薛红,董康军,席彩萍,苏向斌,, 来源:材料导报 年份:2004
从导波光学理论出发求解波动方程,得到了单模SOI平板波导芯层入射光TE波和TM波对应的电场分布规律;研究了对称GRIN介质的光束耦合特性。对1550nm的通信波长而言,对称GRIN介质...
[期刊论文] 作者:郑大农,苏向斌,徐应强,牛智川, 来源:红外与毫米波学报 年份:2021
用分子束外延系统(MBE)生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管(APD)。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门...
[期刊论文] 作者:郑大农,苏向斌,徐应强,牛智川, 来源:红外与激光工程 年份:2021
利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的电极形状.通过不断优化分子束外延的生长条...
[期刊论文] 作者:崔晓然,吕红亮,李金伦,苏向斌,徐应强,牛智川, 来源:红外与毫米波学报 年份:2018
采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电...
[期刊论文] 作者:李金伦,崔少辉,徐建星,袁野,苏向斌,倪海桥,牛智川, 来源:红外与毫米波学报 年份:2017
采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制...
[期刊论文] 作者:袁野,苏向斌,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,张宇,倪海桥,徐, 来源:红外与毫米波学报 年份:2020
通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µ...
[期刊论文] 作者:袁野,苏向斌,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,张宇,倪海桥,徐应强,牛智川, 来源:红外与毫米波学报 年份:2020
通过MBE外延系统生长了1.3μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100μm,腔长2...
相关搜索: