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[学位论文] 作者：苏媛丽,,
来源：浙江理工大学 年份：2020
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型的超宽禁带半导体材料,带隙约为4.9eV,相比于第三代半导体,具有禁带宽度更大、吸收截止边更短、生长成本更低等突出优点,同时拥有高的热稳定性和化学稳定性,在日盲紫外探测器以及超高压功率器件等方面有重要的应用前景。以功率半导体......
[会议论文] 作者：苏媛丽,郭道友,王顺利,李培刚,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
近年来，柔性材料技术在电子工业领域大量应用，虚拟现实技术蓬勃发展，柔性化光电子领域的发展急需新型半导体材料，这类半导体材料需满足良好的机械柔性和高的透过率，并且电学性能要高于传统的非晶硅半导体。......
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