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[期刊论文] 作者：陈宜荣,苏秀娣,,
来源：微处理机 年份：1988
当前,数字控制、计算机控制和数字仪器仪表在工业、商业、通讯和军事系统中得到越来越广泛的应用。而这类系统的输入和输出不是数字量就是模拟量,在应用中都离不开数摸(D/A)...
[会议论文] 作者：苏秀娣,杨筱莉,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
空间环境下应用的微电子器件,都会产生单粒子效应.随着集成度的提高,它已成为发展长寿命、高可靠卫星和航天器的重大障碍.本文介绍超大规模集成电路L80C86CPU的锎源单粒子效应实验情况,以期找到解决加固的方向.......
[期刊论文] 作者：喻德顺,苏秀娣,朱恒静,,
来源：微处理机 年份：1993
本文介绍了L82C51芯片电路的基本功能,关键制造工艺,测试方法。分析了该芯片版图设计特点及V_T控制方法。...
[期刊论文] 作者：陈桂梅,许仲德,苏秀娣,
来源：微处理机 年份：1998
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理，并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路，提出了抗辐射加固技术的方法。This article mainly introduces the failure m...
[期刊论文] 作者：王士秀,苏秀娣,静恩军,王璐,
来源：微处理机 年份：1996
本文介绍了国产大规模抗辐射专用门阵译码电路的设计及研制过程，并给出部分设计参数和工艺参数及抗辐射指标。This paper introduces the design and development process o...
[期刊论文] 作者：袁凯,杨筱莉,苏秀娣,董岩,詹立升,
来源：微处理机 年份：2001
64×64元IRFPA CMOS读出电路是为红外探测器配套使用的数据处理芯片,用于对红外探测器产生的信号进行积分采样并且串行输出.为提高灵敏度及改善信号质量,取样电路的源跟...
[期刊论文] 作者：喻德顺,王忆文,姜庆祥,苏秀娣,
来源：微处理机 年份：1996
本文简明介绍了L82C52串行控制器的主要功能、制造工艺和测试，并对其基本电路及版图设计特点进行了较详细地分析。...
[期刊论文] 作者：袁凯,杨筱莉,苏秀娣,董岩,詹立升,
来源：微处理机 年份：2001
64×64元IRFPA CMOS读出电路是为红外探测器配套使用的数据处理芯片,用于对红外探测器产生的信号进行积分采样并且串行输出.为提高灵敏度及改善信号质量,取样电路的源跟随器...
[期刊论文] 作者：张东庄,陈宜荣,吉国凡,赵军,宁书林,苏秀娣,,
来源：微处理机 年份：1991
LN8254是为解决软件中常遇到的计时问题而设计的。文章重点介绍了计数器的逻辑分析,较详细的说明电路读/写原理,简单地介绍了电路的功能和用途。该电路编程简单,使用方便,是...
[期刊论文] 作者：陈星弼,叶星宁,唐茂成,王新,苏秀娣,单成国,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
该新型ＣＭＯＳ全兼容高压二级管采用标准ＣＭＯＳ工艺、实现新型耐压层结构的新型ＣＭＯＳ全兼容高压横向二极管，由于采用了新型表面耐压层结构，故能在最短表面距离内实现最高的击穿电压，从而性能大幅度......
[期刊论文] 作者：王嵩宇,徐宁,袁凯,苏秀娣,许仲德,李宏,林厚军,
来源：微处理机 年份：2004
针对半导体工艺的需要,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键手段....
[期刊论文] 作者：王怀荣,姚达,苏秀娣,许仲德,陆剑侠,顾长志,金曾孙,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1999
以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能......
[期刊论文] 作者：顾长志,金曾孙,孟强,邹广田,陆剑侠,苏秀娣,许仲德,姚达,,
来源：半导体学报 年份：1997
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘埋层，利用金刚石膜上的薄层硅（ＳＯＤ）制作了５４ＨＣＴ０３ＣＭＯＳ／ＳＯＤ结构的集成电路，对该电路高温下的工作特性进行了研究。结果表明，ＳＯＤ电路在３５０℃下仍具有......
[期刊论文] 作者：艾尔肯,严荣良,余学锋,郭旗,陆妩,任迪远,苏秀娣,
来源：核技术 年份：2003
本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系.研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退...
[期刊论文] 作者：史淑廷,郭刚,王鼎,刘建成,惠宁,沈东军,高丽娟,苏秀娣,陆,
来源：信息与电子工程 年份：2012
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电...
[会议论文] 作者：罗尹虹,郭红霞,陈伟,姚志斌,张凤祁,郭刚,苏秀娣,陆虹,
来源：第十三届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2006
2005年1月西北核技术研究所、中国原子能科学研究院物理研究所、中国电子科技集团公司第四十七研究所三家单位联合协作在国内首次开展了针对2k SRAM的重离子微束单粒子效应研究,取得了初步的实验结果,实验结果表明:截止NMOS和PMOS的漏区是SEU的敏感区域,但敏感......
[期刊论文] 作者：史淑廷,郭刚,王鼎,刘建成,惠宁,沈东军,高丽娟,苏秀娣,陆虹,,
来源：信息与电子工程 年份：2012
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电...
[会议论文] 作者：郭红霞,罗尹虹,张凤祁,陈雨生,周辉,陆虹,苏秀娣,杨筱莉,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
本文首先建立了重离子入射在单管器件MOSFET漏区时单粒子翻转损伤模型,计算结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。在建立的单管器件模型基础上,采用器件/...
[期刊论文] 作者：顾长志,金曾孙,孟强,邹广田,陆剑侠,苏秀娣,许仲德,姚达,王怀荣,
来源：半导体学报 年份：1997
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果......
[会议论文] 作者：贺朝会,郭红霞,郭刚,李永宏,陈泉,惠宁,苏秀娣,张凤祁,罗尹虹,姚志斌,
来源：中国科协2005年学术年会 年份：2005
单粒子效应是指单个带电粒子射入半导体器件,导致器件功能异常的现象.该文介绍了国内首次大规模集成电路--静态随机存取存储器(SRAM)的重离子微束单粒子效应实验研究,建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区,分析......
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