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[期刊论文] 作者：张进,刘玉岭,申晓宁,张伟,苏艳勤,,
来源：半导体技术 年份：2009
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光（CMP）工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速...
[期刊论文] 作者：武彩霞,刘玉岭,牛新环,康海燕,苏艳勤,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
针对多层Cu布线化学机械抛光后去除表面吸附颗粒时难以解决的氧化腐蚀问题，分析了颗粒在抛光后Cu表面上存在的两种吸附状态即物理吸附和化学吸附。采用在清洗剂中加入非离子表......
[期刊论文] 作者：苏艳勤,刘玉岭,刘效岩,康海燕,武彩霞,张进,,
来源：半导体技术 年份：2009
分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面...
[期刊论文] 作者：康海燕,刘玉岭,武彩霞,苏艳勤,杨伟平,刘效岩,,
来源：半导体技术 年份：2009
InSb是一种重要的半导体材料。研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的抛光液。采用化学机械抛光（CMP）对InSb进行了...
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