搜索筛选:
搜索耗时0.9007秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：苗金水,,
来源：中国科学院研究生院（上海技术物理研究所） 年份：2014
本文系统的研究了InAs纳米线的光电探测特性。InAs纳米线因其独特的表面电荷积累层、高载流子迁移率、费米能级钉扎效应和易于形成欧姆接触等特性，被广泛应用于射频电子器件、...
[会议论文] 作者：陈平平,石遂兴,卢振宇,苗金水,胡伟达,陆卫,张智,邹进,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
...
[会议论文] 作者：陈平平,石遂兴,卢振宇,张智,苗金水,胡伟达,邹进,陆卫,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
1.引言Ⅲ-Ⅴ半导体纳米线由于其在红外光电子领域(如激光器,探测器,太阳能电池等)的广泛应用前景引人关注[1].近几年基于气-固-液(VLS)机制的金属(特别是Au)辅助分子束外延(M...
[期刊论文] 作者：安春华,徐志昊,张璟,武恩秀,马新莉,庞奕荻,付晓,胡晓东,孙栋,苗金水,刘晶,
来源：中国物理B:英文版 年份：2021
Layered ReS2 with direct bandgap and strong in-plane anisotropy shows great potential to develop high-performance angle-resolved photodetectors and optoelectronic devices.However,systematic characterizations of the angle-dependent photoresp......
相关搜索：
