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[期刊论文] 作者：范垂祯,
来源：航天出国考察技术报告 年份：1990
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[会议论文] 作者：范垂祯,
来源：第九届全国质谱分析与检漏会议 年份：1997
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[期刊论文] 作者：范垂祯,
来源：真空 年份：1998
本文讨论了影响氦质谱检漏技术中喷吹法和吸入法灵敏度的因素以及敏度校准方面的问题，给出了校准喷吹法和吸入法灵敏度的方法，并指出校准吸入法的灵敏度可用配气法，可以不用正压......
[期刊论文] 作者：范垂祯,
来源：真空 年份：1996
本文介绍了第十三届国际真空会议和第九届国际固体表面会议（ＩＶＣ－１３／ＩＣＳＳ－９）的情况。作者结合会后参观并与前三届会比较，指出我国真空科学发展中存在的问题This article presents the situat......
[期刊论文] 作者：范垂祯,
来源：真空 年份：2001
20 0 1年 3月 3 0日至 4月 1日在深圳举行了豪威真空光电子股份有限公司新一代 ITO镀膜生产线“SV - 1 6 80 B”型 ITO透明导电玻璃镀膜生产线鉴定验收会。我国著名真空设备...
[期刊论文] 作者：范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1983
俄歇电子谱仪在表面物理的研究中几乎是必不可少的工具。现已广泛的应用于冶金、半导体工艺、化工、能源、医药等领域,成为质量检测和基础研究的一种有力手段。其特点是:检...
[期刊论文] 作者：范垂祯,
来源：真空 年份：1979
一、 引言(l)-(9) 在最近十几年中,固体表面和表面效应的研究是非常吸引人的,极为活跃的,并取得了很大成就。这与表面分析方法和仪器的迅速发展和广泛应用是分不开的。 有些...
[期刊论文] 作者：范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1983
在固体表面的俄歇分析中,应用筒镜型能量分析器(CMA)取得俄歇微分谱是普遍采用的灵敏度较高的方法。但是,如何由测出的俄歇峰的位置、峰高、峰形正确地得出关于待测的固体表...
[期刊论文] 作者：范垂祯,
来源：真空 年份：1981
本文对氦质谱检漏仪的反应时间的两种测量方法进行了讨论,指出其中一种方法是错误的。 反应时间和清除时间是氦质谱检漏仪的重要参数之一,通常规定反应时间和清除时间不大于3...
[期刊论文] 作者：范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1982
1.固体表面分析的重要性固体表面分析方法和仪器是表面物理研究的重要内容之一。一些表面现象和效应的研究为表面分析方法和仪器奠定了基础,而表面物理研究取得的进展和成就...
[期刊论文] 作者：范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1982
光电子谱仪是用来研究光子从材料中打出的电子能量分布、角度分布和强度的一种表面分析仪器。光电子谱仪中应用的激发源一般为 x 射线源和真空紫外光源两种。用 x 射线源的...
[期刊论文] 作者：范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1988
在薄膜与界面性质研究中,重视组分的深度分布测量,即所谓的深度剖面分析。主要是指用离子轰击表面,将样品表面一层一层地溅射剥离,同时测量一种或多种组分随离子溅射表面的时...
[期刊论文] 作者：范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1987
自1974年第二届国际固体表面会议与第六届国际真空会议联合召开以来,这两个国际会议每三年联合召开一次。1986年的第六届国际固体表面会议(ICSS—6)与第十届国际真空会议(IV...
[期刊论文] 作者：叶青山, 范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1993
介绍了电子能损谱的发展和分类;综述了透射式电子能损谱(TEELS)和反射式高分辨率低能电子能损谱(HREELS)的特点及其应用;着重举例介绍了中能反射式电子能损谱(REELS)的最新进...
[期刊论文] 作者：范垂祯,余镇江,
来源：真空与低温 年份：1992
低能离子感生俄歇电子谱及其能量阈值的测定,无论对于表面分析还是对于研究离子感生俄歇的机制都是有意义的。介绍了实验装置和实验条件。分别测出了 Ti、Mn、Fe 等15种纯元...
[期刊论文] 作者：范垂祯,蒋能,,
来源：真空与低温 年份：1990
以金属表面覆氧时二次离子发射实验为基础建立半理论模型，对二次离子质谱定量分析进行了研究，注意到金属元素的正离子产额随氧压升高而增加，而电负性高的元素离子信号有上升更多......
[期刊论文] 作者：陈宇,范垂祯,,
来源：真空与低温 年份：1993
研究了高真空分析室中砷化镓表面覆氧对二次离子产额的影响。通过 X 射线光电子谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)、俄歇电子谱(AES)研究比较了室温下长期暴露大气的砷化镓、高真...
[期刊论文] 作者：范垂祯,陈丹,
来源：真空科学与技术 年份：1989
本工作主要研究在超高真空环境中,3keV能量电子束轰击Al、Mo、Cu三金属表面所导致的二次电子像上的变化。通过观察不同金属表面或同一金属但预处理方法不同的表面在电子轰击...
[期刊论文] 作者：陈宇,范垂祯,
来源：半导体学报 年份：1992
本文利用注入剂量法,对离子注入掺Zn的GaAs样品进行了SIMS定量分析,得到了Zn在GaAs中的浓度分布,并由此获得了稳定的相对灵敏度因子,利用相对灵敏度因子法对GaAs 中的掺杂元...
[期刊论文] 作者：范垂祯,陈丹,
来源：真空科学与技术 年份：1990
本工作主要研究了超高真空环境中(5×10-10Torr)多晶Al、Mo、Cu表面在3keV电子束轰击下,表面组份的变化。通过检测俄歇峰高随电子的轰击所发生的变化,对表面...
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