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[期刊论文] 作者：莫才平,高新江,王兵,
来源：半导体光电 年份：2004
采用InP/InGaAs/InP双异质结结构研制了对人眼安全的1.54～1.57μmInGaAs四象限探测器。对器件结构设计和材料选择进行了讨论。在对响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数...
[期刊论文] 作者：周勇,赵志强,周勋,刘万清,莫才平,,
来源：半导体光电 年份：2012
基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过...
[期刊论文] 作者：张圆圆,莫才平,黄晓峰,赵文伯,樊鹏,刘勋,
来源：电子工业专用设备 年份：2020
半导体晶圆背面减薄工艺包含临时键合、研磨、解键合、薄片清洗4个步骤。工艺应力损伤使芯片性能劣化甚至失效,成为大光敏区型InP基探测器芯片的工艺瓶颈,须加以解决。将4个...
[期刊论文] 作者：莫才平,陈扬,张圆圆,柳聪,卢杰,兰逸君,唐艳,
来源：半导体光电 年份：2021
背照结构的InGaAs焦平面器件,受其衬底InP的阻挡,对可见光无响应.针对宽光谱探测的应用需求,研制了 一种像元间距为25 μm、阵列规模为640×512的InGaAs焦平面探测器.通过在倒焊互连工艺后,对器件进行干法、湿法相结合的减薄抛光工艺,所得探测器阵列(PDA)芯片最......
[期刊论文] 作者：刘海军,张靖,莫才平,段利华,闫应星,黄晓峰,
来源：信息记录材料 年份：2022
针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题，采用碱溶液处理SiNx表面，研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明SiNx表面处理后，胶膜底切宽度稳定性得到显著提高，绝对变化量1.8μm减小到0.2μm，相对变化量从177.2%降低到15.2%，制备出较好的剥离胶......
[期刊论文] 作者：张承,黄晓峰,迟殿鑫,唐艳,王立,柴松刚,崔大健,莫才平,高新江,
来源：半导体光电 年份：2020
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管, 对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型, 利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算, 并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明, ......
[期刊论文] 作者：张圆圆,柳聪,赵文伯,莫才平,董绪丰,黄玉兰,梁星宇,段利华,田坤,张洪波,,
来源：半导体光电 年份：2020
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺.晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高.严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲...
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