搜索筛选:
搜索耗时2.6313秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 30 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：葛璜,
来源：仪器仪表学报 年份：1996
简要评述电子束、离子束、光子束纳米微细加工技术的进展状况与新方法的探索。...
[期刊论文] 作者：葛璜,
来源：微细加工技术 年份：1987
用聚焦离子束混合技术选择形成了线宽1μm的金属硅化物微细图形。实验表明镍硅化物主要是由在离子作用下引起的硅原子向金属膜的输运过程形成的,线条的高度随离子剂量的平方...
[期刊论文] 作者：郭玉彬,葛璜,
来源：光学精密工程 年份：1999
分析了光纤Ｂｒａｇｇ光栅的特性，讨论了其结构参数。通过紫外光写入的方式，在普通单模光纤上制备了光纤Ｂｒａｇｇ光栅。典型的光纤Ｂｒａｇｇ光栅在１．５６μｇ波段的反射率达９９％，带宽０．６ｎｍ。......
[期刊论文] 作者：任月英,葛璜,
来源：高技术通讯 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：陈根祥,葛璜,
来源：电子学报 年份：1997
本文扼要评述了光纤的光敏特性及其微观机理，描述了光纤光栅光学特性，并对迄今发展起来的几种主要光纤光栅紫外写入技术进行了全面的评介，最后简要介绍了光纤光栅在激光和通信等......
[会议论文] 作者：梁俊厚,葛璜,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：葛璜,金才政,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
介绍了直接光刻技术的技术要点及其在ＨＥＭＴ器件研制中的应用，采用这种技术与剥离工艺结合可产生０．１￣０．３μｍ微细金属栅电极，研制成功的ＨＥＭＴ器件跨导达３８０ｍｓ／ｍｍ，截止频率超过５０ＧＨｚ。......
[期刊论文] 作者：葛璜,胡雄伟,王圩,
来源：仪器仪表学报 年份：1996
国家光电子工艺中心的纳米技术研究葛璜，胡雄伟，王圩（国家光电子工艺中心，中国科学院半导体研究所）０引言下一代光电子器件是量子效应光电子器件，这就需要控制良好的纳米加工技术。国......
[期刊论文] 作者：周凯明,葛璜,等,
来源：光子学报 年份：2000
本文利用多波长光纤布拉格光栅与端面镀有增透膜的半导体激光器管芯耦合形成外腔激光器。研究了不同光纤光栅布拉格波长间隔下，器件的工作性能。当光纤光栅波长间隔不同于管芯......
[期刊论文] 作者：葛璜,孙明武,等,
来源：光子学报 年份：2000
本文报导用紫外写入法制备SiO2平面光波导的理论基础，工艺过程和实验结果。介绍了含光敏层的多层SiO2平面光波导的材料和掩膜的制备方法，紫外写入的设备与工艺，用这种新方法制备......
[期刊论文] 作者：王向东,杜秉初,葛璜,
来源：电子学报 年份：1995
本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循......
[会议论文] 作者：郑玉兰,童忠镶,葛璜,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：张立宝,葛璜,马祥彬,凌仲珪,
来源：半导体学报 年份：1986
采用原子比为Si(31％),Au(69％)的金硅合金,研制成了Au-Si共晶合金液态金属寓子源.描述了该离子源的制作方法、I-V特性、不同源电流情况下各种离子流峰值的变化.讨论了质谱分析结...
[期刊论文] 作者：周凯明,安贵仁,葛璜,王圩,
来源：光子学报 年份：1998
我们利用一块均匀掩膜版，通过对光纤拉伸和二次紫外曝光的方法制作了一基于莫阿－布喇格光纤光栅的带通滤波器，其带通宽度为０．２８ｎｍ．我们对这种方法制作的莫阿－布喇格光栅作了理论分析．在此......
[期刊论文] 作者：赵玉成,简水生,王圩,葛璜,安贵仁,
来源：铁道学报 年份：1996
基于耦合模理论，利用数值解法对啁啾光纤光栅特性进了全面的分析，并利用柱面镜全息曝光干涉法制作啁啾光纤光栅图形，和反应离子束刻蚀法在光纤上制作出啁啾光纤光栅，实验结果表明......
[期刊论文] 作者：根祥,程美乔,葛璜,简水生,王圩,
来源：中国激光 年份：1997
实验研制了针对波长248 nm KrF准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术,在双面抛光的石英基片上以CHF3/O2为反应气体,用反应离子刻蚀技术制作了具有良好完整性、周期1.085 μm的石英相位掩模器。实际测量表明其零级衍射效率被抑制到5.97......
[期刊论文] 作者：周凯明, 胡雄伟, 刘海涛, 葛璜, 安贵仁,,
来源：光子学报 年份：2001
本文从耦合腔理论出发分析了光纤光栅外腔半导体激光器的模式选择，得到了为达到稳定的高主边模抑制比所需的短外腔、短光纤光栅的器件设计原则.制作了两只光纤光栅外腔半导体......
[期刊论文] 作者：陈根祥,程美乔,葛璜,简水生,王圩,
来源：中国激光 年份：1997
实验研制了针对波长２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术，在双面抛光的石英基片上以ＣＨＦ３／Ｏ２为反应气体，用反应离子刻蚀技术制作了具有良好完整性、周期１．０８５μｍ的......
[期刊论文] 作者：孙毓平, 朱文珍, 梁俊厚, 葛璜, 梁久春,,
来源：电子科学学刊 年份：1985
本文研究了电子束光刻中电子能量（10—30keV）和电荷剂量(10-6—10-3C·cm-2)对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火（...
[期刊论文] 作者：孙毓平,朱文珍,梁俊厚,葛璜,梁久春,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1986
The irradiation damages in the electron beam lithography(EBL)to Al-gate MOS capacitors inthe ranges of 10—30keV and 10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2) and the effects...
相关搜索：
