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[期刊论文] 作者：董争 Li,G,
来源：浙江大学学报：自然科学版 年份：2000
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延与ｐｉｐｉＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶和。结果表明，以ＴＭＡｌ为掺杂源的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延样品的二维空们浓度可达到１．１＊１０＾１３／ｃｍ＾２，比以ＴＭＧ为掺杂源的样品提高一个数量级，且......
[期刊论文] 作者：董争,Li,G,
来源：浙江大学学报：自然科学版 年份：1998
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２，均比相同结构的生长体掺......
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