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[会议论文] 作者：董鑫;张源涛;张宝林;赵旺;李香萍;杜国同;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了ZnOp-n同质结。并对它的各种特性进行了测试与分析。样品的开启电压约为4.0V。结特性良好。对同质结中n型与p型ZnO层...
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