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[学位论文] 作者：蒋东铭,
来源：东南大学 年份：2007
当前无线通信的快速增长为射频集成电路带来了巨大的市场需求。随着CMOS 工艺特征尺寸的不断减小，MOS场效应管的截止频率已经超过100 GHz，这使得CMOS 工艺成为射频集成电路设计...
[期刊论文] 作者：黄贞松, 蒋东铭, 匡珩,,
来源：现代信息科技 年份：2017
本文研究采用SOI（绝缘体上硅）工艺设计开关芯片,砷化镓（GaAs）工艺单片LNA,MCM（多芯片组装工艺）技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过CW功率5W,NF小于1...
[期刊论文] 作者：蒋东铭,黄风义,陆静学,赵亮,,
来源：电子器件 年份：2007
通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工...
[期刊论文] 作者：赵亮,黄风义,蒋东铭,朱玉峰,沈懿,,
来源：信息技术 年份：2007
介绍了基于0.18μmCMOS工艺的802.11a无线局域网(WLAN)有源双平衡混频器的设计方法。该混频器射频(RF),本振(LO)和中频(IF)信号频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2GHz。仿真结果...
[会议论文] 作者：蒋东铭,黄风义,严菲,陆静学,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
基于0.18μm CMOS工艺设计了10/11双模分频器的电路,用源耦合场效应管逻辑实现静态D触发器单元设计,利用H-spice对设计电路进行仿真.电路完成了芯片版图,后仿真结果表明输入时钟在3.33GHz时,10分频和11分频逻辑正确.芯片面积为0.5*0.375mm2,功耗108mW.......
[期刊论文] 作者：蒋东铭,陈新宇,许正荣,张有涛,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC~6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度...
[期刊论文] 作者：蒋东铭,陈新宇,杨立杰,黄子乾,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关...
[会议论文] 作者：蒋东铭,陈新宇,蒋幼泉,黄子乾,冯欧,
来源：2009年全国微波毫米波会议 年份：2009
采用3英寸圆片GaAsPIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAsPIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点，工作频段25～40GHz，输入端在关断态下采用非...
[期刊论文] 作者：李亚军, 李晓鹏, 张有涛, 蒋东铭, 陈新宇, 杨磊,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
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