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[学位论文] 作者：蒋启均,,
来源：西南交通大学 年份：2021
GaN作为第三代半导体材料,因其具有宽禁带,高迁移率,低本征载流子浓度等性质而成为一个非常瞩目的研究热点。常规单层异质结器件凭借其结构简单和性能优异等特点始终占据着GaN基器件的核心地位。随着人们对器件功耗需求的增加,具有更低功耗的常规多层异质结器件......
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