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[期刊论文] 作者：田野,石瑞英,龚敏,何志刚,蔡娟露,温景超,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
研究了GaAs HBT高能电子（～1MeV）辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的...
[期刊论文] 作者：唐龙谷, 田坤, 黄晓峰, 蔡娟露, 陈维君, 龚敏, 石瑞,
来源：半导体光电 年份：2004
对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究。发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAs时InP侧壁内切,在InP和InGaAs界面存在侧壁不连续问题。而用Cl...
[期刊论文] 作者：蔡娟露,程兴华,钟玉杰,何志刚,史同飞,龚敏,石瑞英,
来源：光散射学报 年份：2004
利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ...
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