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[期刊论文] 作者：蔡守民,
来源：艺术百家 年份：2001
汤显祖在 宜黄县戏神清源师庙记 中首创性地提及戏曲的表演理论 ,倡导以情演情 ,对演员的修养和表演艺术的最高境界表述了独特的见解 ,其戏曲美学思想直接影响了潘之恒、袁...
[期刊论文] 作者：蔡守民,
来源：微细加工技术 年份：1988
一、引言CMOS电路是将P沟道及N沟道两个极性相反的MOS管做在一块电路中,称为互补MOS电路,它不仅速度高,且静态功耗极低,因为在它的工作状态中总有一个管子处于截止,这就是CM...
[期刊论文] 作者：蔡守民,
来源：微细加工技术 年份：2004
常规的扩散和离子注入加热退火形成P—N结的方法,都涉及到长时间的高温处理,这会导致半导体材料的少数载流子寿命降低,产生二次诱生缺陷,对器件参数造成不良影响。在持续的...
[期刊论文] 作者：蔡守民,
来源：微细加工技术 年份：2004
本文介绍用电子束掺杂形成浅结的方法和实验结果,给出了结深在0.1～0.2μm的掺磷、掺硼、掺砷的掺杂层的载流子沿深度方向的分布曲线,以及用此法作的平面二极管的伏安特性曲线...
[期刊论文] 作者：蔡守民,
来源：微细加工技术 年份：1985
本文论述用电子束掺杂制作硅太阳电池及晶体三极管。所作的n+P硅太阳电池接近一般工艺下的离子注入n+P太阳电池水平。NPN硅晶体三极管直流参数基本符合要求,放大倍数β偏低一...
[期刊论文] 作者：李良翠,蔡守民,
来源：微细加工技术 年份：2004
本文重点报导用电解水氧化显微法观测未退火的离子注入硅片的注入层深度,将其与经电子束退火、热退火后离子注入硅片的结深进行了比较。This article focuses on the obser...
[期刊论文] 作者：林发永,蔡守民,
来源：微电子学与计算机 年份：1974
鉴于扩散电阻的控制在集成电路制造工艺中占有相当重要的地位,因此,本文研究了氧化气氛下影响硼主扩散薄层电阻的各种工艺因素。实验结果表明,影响硼主扩散薄层电阻的重要工...
[期刊论文] 作者：张定华,赵胜林,张海林,蔡守民,
来源：微细加工技术 年份：1983
本文介绍了一种在电子束制版技术中,为增强抗蚀剂与基片之间的粘附性而采用的用特定离子轰击来改变基片表面状态的方法(即表面活化新方法),找到了较为理想的工艺途径及条件,...
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