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[学位论文] 作者:蔡广燚, 来源:华中科技大学 年份:2023
传统硅基半导体器件,受限于硅材料的物理特性和制造工艺,已无法满足电力电子变换器对高频和高功率密度的需求。碳化硅(Silicon Carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)作为第三代宽禁带半导体器件的......
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