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[学位论文] 作者：蔡广燚,
来源：华中科技大学 年份：2023
传统硅基半导体器件,受限于硅材料的物理特性和制造工艺,已无法满足电力电子变换器对高频和高功率密度的需求。碳化硅（Silicon Carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）作为第三代宽禁带半导体器件的......
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