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[学位论文] 作者：蔡旻熹,,
来源：华南理工大学 年份：2004
相比于非晶硅(amorphous silicon,a-Si)和多晶硅(polysilicon,poly-Si)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs),以非晶InGaZnO(a-IGZO)为代表的非晶氧化物半导体TFTs具有能...
[期刊论文] 作者：蔡旻熹,姚若河,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2016
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的...
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