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[学位论文] 作者：蔡江铮,
来源：中国科学院大学 年份：2017
随着医疗电子、可穿戴设备和物联网等低功耗应用的快速发展，功耗取代性能逐步成为芯片设计中最受关注的指标。其中，静态随机存储器(Static Random AccessMemory，SRAM)对芯片面积...
[期刊论文] 作者：刘冰燕,蔡江铮,黑勇,,
来源：微电子学与计算机 年份：2016
提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130n...
[期刊论文] 作者：蔡江铮,黑勇,袁甲,陈黎明,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2018
为了降低静态随机存储器在处理声音和视频数据时的功耗，提出一款新型的非预充单元．相比常规6管和8管单元，其读操作消除了预充机制，抑制了无效的翻转，因此功耗得到显著优化．本单元通......
[期刊论文] 作者：蔡江铮,袁甲,陈黎明,黑勇,,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：2017
为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题,采用晶体管的反短沟效应和反窄沟效应改进传统方法,不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外围辅助电...
[期刊论文] 作者：蔡江铮,张苏敏,袁甲,商新超,陈黎明,黑勇,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
This paper presents a 6 kb SRAM that uses a novel 10 T cell to achieve a minimum operating voltage of 320 m V in a 130 nm CMOS process. A number of low power ci...
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