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[期刊论文] 作者：蔡浩一,
来源：传感器技术 年份：1995
在Ａｒ、ＣＨ４的混合气体中用反应性磁控溅射法生长了多晶ＳｉＣ薄膜。溅射靶使用了单晶硅片。ＳｉＣ薄膜的生长速率１０￣４０ｎｍ／ｍｉｎ。Ａｒ的分压为６０ｍｔｏｒｒ（ｌｔｏｒｒ＝１３３．３２２Ｐａ，以下同），ＣＨ４的分压为４０ｍｏｔｏｒｒ，衬底温度为７５０℃时，薄膜具有显著的多晶特性。杂质浓度、Ｈａｌｌ迁......
[期刊论文] 作者：蔡浚,蔡浩一,
来源：大坝与安全 年份：2002
上海市目前已建成各类水闸1 800多座,其中大部分建于80年代前,工程设计标准偏低,施工水平和施工质量欠佳,机电设备陈旧、老化,以至造成了大量水闸出现病险险情,许多工程安全...
[期刊论文] 作者：周以达,蔡浩一,等,
来源：华东水电技术 年份：2002
本文阐述了水闸安全检测的基本内容和方法，结合几座典型水闸的安全检测工作提出了现有水闸普遍存在的问题，并对水闸加固改造措施作了初步探讨。...
[会议论文] 作者：蔡浩一,徐秀华,王善慈,
来源：1986年中日电子敏感技术科学讨论会 年份：1986
...
[期刊论文] 作者：王善慈,卢慧斌,徐秀华,蔡浩一,邓春阳,陶文忠,
来源：传感器技术 年份：1987
利用半导体压阻效应的压力传感器,由于信息处理技术的进步,正面向高精度、高灵敏、高可靠、低成本发展。其主流是用单晶硅制造的扩散型压力传感器。但最近,使用不同的材料作...
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