搜索筛选:
搜索耗时2.9374秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 5 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：蔡瑞仁,
来源：中国科学技术大学 年份：2007
本论文介绍了SiGe材料和器件特性、电路相对于Si器件和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的优越性。介绍了SiGe HBT的能带结构以及Ge的引入对能带结构的影响，回顾了SiGe HBT的发展历史，...
[期刊论文] 作者：蔡瑞仁,李垚,,
来源：微电子学 年份：2007
建立了超薄基区SiGe和SiGeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对SiGeC BHT速度分布影响很大,对于线...
[期刊论文] 作者：严国辉,蔡瑞仁,
来源：福建商业高等专科学校学报 年份：2004
跨国经营战略是为了在实现推进产业整体素质不断提高,并最终强大的国家竞争力目标前提下,对提高企业国际竞争力而做出的长远性、整体性的国际经营策划.文章着眼于当前跨国投...
[期刊论文] 作者：蔡瑞仁,欧国敏,
来源：口腔颌面修复学杂志 年份：2021
上颌后牙区缺牙后的种植修复,常由于上颌窦的存在、缺牙后的解剖生理性改变而采用上颌窦底提升植骨技术增加骨量来解决垂直骨高度不足的问题.但是至今仍没有明确的证据表明上颌窦底黏膜提升后是否必须植入植骨材料.近年来,许多学者发现无论是经牙槽嵴顶路径的上......
[期刊论文] 作者：蔡瑞仁,李垚,刘嵘侃,,
来源：微电子学 年份：2006
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程，得出基区的电子温度分布，建立了考虑电子温度变化，适用于超薄基区SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响，基区重掺杂和G......
相关搜索：
