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[期刊论文] 作者：蔡西媛,,
来源：半导体情报 年份：1971
对微波电路中电子转移振荡器的性能进行了数字研究。电路参数改变时,对限累模式转变到畴模式给以特殊的注意。限累工作的一个简单数学模型给出的结果与解一个更严格的模型的...
[期刊论文] 作者：A.Higashisaka,蔡西媛,,
来源：半导体情报 年份：1981
研制出一种20GHz频段单片砷化镓场效应低噪声放大器。通过得到在半绝缘砷化镓衬底上的微带线传输特性来完成设计和制造。研制的羊片放大器由亚微米栅GaAsMESFET和在半绝缘砷...
[期刊论文] 作者：蔡西媛,何家骐,,
来源：微波 年份：1987
采用C×591型MESFET管芯、微带电路小型元件及工艺,研制成2—8GHz宽带、低嘱声平衡式多级放大器,设计过程中系统地使用CAD技术,特别考察了3分贝耦合器对双倍频程宽带放大器增...
[期刊论文] 作者：西马正博,蔡西媛,,
来源：半导体情报 年份：1982
一、序言 GaAsFET作为有低噪声、高增益特征的微波放大器,正在不断地开展着研究,现在已处在实用化阶段。最近几年,使其更加发展的GaAs单片集成电路化的工作日趋活跃。 GaAs...
[期刊论文] 作者：原田八十雄,福田恒,蔡西媛,,
来源：半导体情报 年份：1981
一、前言在国内,把超高频(12GHz 频带)卫星广播的实用化作为目标,1978年发射了实验用的广播卫星,现在正继续进行着各种实验。并制订了在1983年发射实用卫星的计划。由于从卫...
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