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[期刊论文] 作者：张鲁川, 蔺兰峰,,
来源：微电子学 年份：2006
介绍了X波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果。该放大器工作频率高、增益高，同时具有一定的输出功率，适用于各种应用环境。X波段砷化镓单片......
[期刊论文] 作者：华明清,王志功,蔺兰峰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
以一种经典的窄带低噪声放大器结构为基础，分析级联放大器的S参数．通过优化元件参数，获得了一种在3．6～4．7 GHz范围内具有低输入回波损耗、低噪声系数的放大器。采用标准的0．18μm RF......
[期刊论文] 作者：王家波,潘书山,蔺兰峰,,
来源：中国信息化 年份：2012
采用C波段微波芯片套片,研制出的 C波段T/R组件,由功率放大支路、低噪声接收支路和相位控制支路构成.发射支路末级功率放大器采用GaAs赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)功率芯片,...
[期刊论文] 作者：王家波 潘书山 蔺兰峰,
来源：中国信息化·学术版 年份：2012
【摘要】采用c波段微波芯片套片，研制出的c波段T/R组件，由功率放大支路、低噪声接收支路和相位控制支路构成。发射支路末级功率放大器采用Gahs赝配高电子迁移晶体管（PHEMT）功率芯片，实现c波段1 5w的功率輸出，发射效率达到40%；采用基于低温共烧陶瓷（LTCC）的集成基板，提高集......
[期刊论文] 作者：王家波 潘书山 蔺兰峰,
来源：中国信息化·学术版 年份：2012
【摘要】采用C波段微波芯片套片，研制出的C波段T/R组件，由功率放大支路、低噪声接收支路和相位控制支路构成。发射支路末级功率放大器采用GaAs赝配高电子迁移晶体管（PHEMT）功率芯片，实现C波段15w的功率输出，发射效率达到40%；采用基于低温共烧陶瓷（LTCC）的集成基板，提高集......
[期刊论文] 作者：黄炳华,钮利荣,蔺兰峰,孙春妹,,
来源：电子学报 年份：2007
在非线性网络的适当端口施加正弦电压源Us用基波平衡原理求得注入网络的基波电流isl·当js1=0时，正弦电压源的频率和幅值被称为基波解．如果能求出n个基波解，则原网络必然也...
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