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[学位论文] 作者：裴九清,,
来源：西安电子科技大学 年份：2015
氮化镓基器件由于出色的性能,被学术界和工业界广泛的研究。增强型氮化镓器件在开关和数字电路领域也因具有较大的应用前景而被大量研究。背势垒结构能够提高二维电子气的限...
[期刊论文] 作者：裴九清,李愔,
来源：农家参谋 年份：2001
由于气候条件年际间差异较大,所以,春季马铃薯的产量和效益不大稳定。近年来,我市在春季马铃薯种植技术上实行四改,取得了增产增收的显著效果。 一改品种选用 过去我市种植...
[期刊论文] 作者：裴九清,胡绪顺,,
来源：农业科技通讯 年份：1984
1982年我们选用呋喃丹、杀灭菊酯,7216菌药、辛硫磷等进行防治玉米螟的试验研究,发现辛硫磷颗粒剂优于其它颗粒剂。1983年鹤壁市农业局、西华县植保站及永城县植保站又进行...
[期刊论文] 作者：吕国强,邱强,裴九清,
来源：植物保护 年份：1988
1984年-1985年,对大仓鼠(Cricetulus trilon)进行田间调查和室内饲养,结合分期捕捉解剖,得知该鼠营穴场所以农田附近的非耕作地为主(占46—87.7％);洞系垂直,有2-10个分支;成体...
[期刊论文] 作者：王冲, 赵梦荻, 裴九清, 何云龙, 李祥东, 郑雪峰, 毛维,,
来源：物理学报 年份：2015
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[期刊论文] 作者：王冲,赵梦荻,裴九清,何云龙,李祥东,郑雪峰,毛维,马晓华,,
来源：物理学报 年份：2016
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结（AlGaN/GaN/AlGaN/GaN）材料对高电子迁移率晶体管（HEMT）特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异...
[期刊论文] 作者：王冲,赵梦荻,裴九清,何云龙,李祥东,郑雪峰,毛维,马晓华,张进成,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2016
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用...
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