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[学位论文] 作者：解佳腾,
来源：华北电力大学(北京) 年份：2020
碳化硅（SiC）MOSFET器件具有高开关频率、低开关损耗、高运行结温等优良特性,近年来更是广受关注,相继有不同电压等级的SiC MOSFET产品应用于变流器、电信设备电源、电动汽车、风力发电等场景中。然而由于SiC MOSFET体二极管在器件开关过程中,存在一定的反向恢复损......
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