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[学位论文] 作者：解金珠,
来源：辽宁师范大学 年份：2023
氧化镓是一种拥有4.9e V超宽直接带隙的半导体材料,正好对应日盲紫外波段,而且对可见光高度透明,电学性质和光学性质较好,最大击穿电场为8MV/cm,是制作高功率电子器件及日盲紫外探测器的理想材料,制备的器件在臭氧层监测、环境检测及安全通信等领域具有广泛的应......
[期刊论文] 作者：冯秋菊,王德煜,高冲,张建平,李芳,董增杰,解金珠,
来源：大学物理实验 年份：2020
采用简单的化学气相沉积(CVD)方法,利用氧化镓粉末和碳粉作为生长的原材料,在无金属催化剂的情况下,在硅衬底上生长出了产量高、面积大、而且尺寸均一的β-Ga2O3纳米球,并研...
[期刊论文] 作者：冯秋菊,解金珠,董增杰,高冲,梁硕,刘玮,梁红伟,
来源：发光学报 年份：2021
β-Ga2 O3是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良特性,使其成为一种很有前途的半导体材料,在高功率电子器件、气体探测器和日盲紫外(UV)光电探测器等领域有着较为广阔的应用前景.本......
[期刊论文] 作者：冯秋菊,石博,李昀铮,王德煜,高冲,董增杰,解金珠,梁红伟,
来源：物理学报 年份：2020
通过使用化学气相沉积法,成功制备出超长、大尺寸的Sb掺杂ZnO微米线.基于非平衡电桥原理,利用单根Sb掺杂ZnO微米线作为非平衡电桥的一个桥臂,制作出了可以在室温环境下工作的...
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