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[会议论文] 作者：梅之烨,计建新,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
LED技术是目前照明市场的热点,近几年,LED技术发展极其迅速,应用领域也越来越广。未来的LED电源必须是向体积小,应用简单,可靠性高,成本低廉的方向发展.本文将结合恒流二极管...
[期刊论文] 作者：沈源生,计建新等,
来源：电子元器件应用 年份：2001
本文简要介绍了晶体管的开关特性参数，详尽分析了ts值相差较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题。...
[会议论文] 作者：张硕,邓小社,计建新,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文在简单介绍快恢复二极管(FRD)关键参数物理模型理论的基础上,结合仿真数据说明器件结构变化对参数的影响,并以实际流片结果简单展示了反向击穿电压(VR)、正向导通压降(VF...
[会议论文] 作者：张新,计建新,尚东,周宏伟,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文介绍了平面高压VDMOS的坛以及其特性，并在现有平面VDMOS工艺的基础上，通过辐照和重金属掺杂的方式，使器件的trr大幅降低，研制了稳定的低trrVDMOS产品，并对其软度因子及温度特......
[期刊论文] 作者：沈源生,计建新,沈保根,,
来源：电子元器件应用 年份：2001
本文简要介绍了晶体管的开关特性参数,详尽分析了ts值相差较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题。This article briefly introduced the transistor switching...
[期刊论文] 作者：王文源,计建新,何金华,俞诚,
来源：微电子技术 年份：2002
本文简要阐述了新型半导体器件2BT100固体放电管的研制,在设计上采取了多元胞结构,在制作上采用了双面扩散技术,提供了一些工艺过程,给出了一些测试数据....
[会议论文] 作者：沈源生,计建新,沈保(米艮),
来源：2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会 年份：2001
本文作者简要介绍了晶体管的开关特性参数,详尽分析了 ts值相差较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题....
[会议论文] 作者：沈源生,计建新,沈保(米艮),
来源：2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会 年份：2001
本文作者简要介绍了晶体管的开关特性参数,详尽分析了 ts值相差较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题....
[期刊论文] 作者：唐红祥,计建新,孙向东,孙永生,曹亮,,
来源：半导体技术 年份：2012
介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT)IGBT的结构及工艺特点。通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用I...
[会议论文] 作者：魏峰,何飞,李泽宏,唐红祥,计建新,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
针对功率VDMOS薄栅介质决定着其静电敏感性这一特点,建立了功率VDMOS器件的ESD瞬态模型,分析了功率VDMOS不同的抗ESD结构。结合华润华晶的工艺能力,提出采用集成多晶二极管结...
[期刊论文] 作者：蒋正勇,计建新,沈保根,石中兵,赵万里,
来源：微电子技术 年份：2001
本文介绍了高频、高压双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺.用该设计与工艺做出了耐压大于200V、fT大于200MHz的产品....
[期刊论文] 作者：朱国平,蒋正勇,曹靖,计建新,沈保根,
来源：微电子技术 年份：2001
本文介绍了非光敏聚酰亚胺用于双极型高压晶体管芯片制造阶段的表面钝化的工艺.该工艺的应用使晶体管生产成本有了大幅度的下降....
[会议论文] 作者：李泽宏,易黎,周春华,罗萍,计建新,张波,
来源：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛 年份：2009
本文设计了一种多晶硅PIN二极管作为VDMOS器件的ESD保护结构。 多品硅PIN二极管通过在场氧化层上的多晶硅中小同区域进行不同掺杂实现，用来进行VDMOS器件栅源间的ESD保护。...
[会议论文] 作者：谢加雄,刘小龙,李婷,任敏,李泽宏,张金平,计建新,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文提出一种内部集成了ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件。在对电流采样原理分析的基础上，提出了一种适用于功率器件过流保护的电路结构；利用反串联多晶二极管实现对VDMO...
[会议论文] 作者：Wei Feng,Zhang Xin,Tang Hongxiang,Ji Jianxi,魏峰,张新,唐红祥,计建新,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文通过对恒流二极管结构及其特性的介绍，分析了恒流二极管工作及其电流维持恒定的原理；基于耗尽型MOS产品设计流片的CRD参数满足应用需求，对恒流二极管的应用及未来的市场......
[会议论文] 作者：Wei Feng,魏峰,Zhang Xin,张新,Tang Hongxiang,唐红祥,Ji Jianxi,计建新,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文通过对恒流二极管结构及其特性的介绍，分析了恒流二极管工作及其电流维持恒定的原理；基于耗尽型MOS产品设计流片的CRD参数满足应用需求，对恒流二极管的应用及未来的市场前景进行了介绍和展望。......
[期刊论文] 作者：姜玉德,周慧芳,赵琳娜,甘新慧,顾晓峰,计建新,
来源：微电子学 年份：2021
研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性.首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响.对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管.测试结果表明,器件的正向电压为1.52V,特征导通电阻为2.12 mΩ·cm2,击穿电压......
[会议论文] 作者：Tang Hongxiang,Ji Jianxin,Sun Xiaongdong,Sun Yongsheng,Cao Liang,唐红祥,计建新,孙向东,孙永生,曹亮,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
阐述了高压Trench IGBT结构设计、工艺设计。文中先提出了高压1 200 V的Trench IGBT器件的结构模型；然后仿真其电性能，根据仿真的结果；设计出高压Trench NPT IGBT的版图及工...
[会议论文] 作者：Tang Hongxiang,唐红祥,Ji Jianxin,计建新,Sun Xiaongdong,孙向东,Sun Yongsheng,孙永生,Cao Liang,曹亮,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
阐述了高压Trench IGBT结构设计、工艺设计。文中先提出了高压1 200 V的Trench IGBT器件的结构模型；然后仿真其电性能，根据仿真的结果；设计出高压Trench NPT IGBT的版图及工采用该结构设计、工艺设计得到实际研制结果，对研制出1200V 15A和25A的高压Trench NPT IGBT......
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