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[学位论文] 作者：许冬岗,
来源：西安电子科技大学 年份：1998
该文研究的槽栅MOS器件是一种适应深亚微米特征的新器件,其器件的工艺并不复杂 ,可以有效的提高深亚微米器件的性能和可靠性.由于栅氧化层的拐角效应,槽栅器件可以有效的抑制...
[期刊论文] 作者：王彬,许冬岗,
来源：互联网世界 年份：1998
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[期刊论文] 作者：任红霞,郝跃,许冬岗,
来源：半导体学报 年份：2001
基于流体动力学能量输运模型，利用二维器件模拟器MEDICI对深亚微米槽栅NMOSFET器件的结构参数，如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究。并与相应的常规...
[期刊论文] 作者：任红霞,郝跃,许冬岗,
来源：电子学报 年份：2001
基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型，用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数，如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等，对器件抗热载流子特性......
[期刊论文] 作者：任红霞,郝跃,许冬岗,
来源：物理学报 年份：2000
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与相应常规平面器件进行了比较 ,同时用器件内...
[期刊论文] 作者：赵天绪,郝跃,许冬岗,
来源：半导体学报 年份：1999
本文研究ＶＬＳＩ电路的ＮＰＩＲＡ结构及其成品率，分析间隙冗余阵列的（ｓ，８）类结构，提出最优的（ｓ，８）间隙冗余阵列的定义，同时给出了最优的（ｓ，８）间隙冗余的成品率的下界表示．In this paper, we study the NPIRA st......
[期刊论文] 作者：姜晓鸿,郝跃,许冬岗,徐国华,
来源：半导体学报 年份：1998
为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的．然而，真实的缺陷的形貌是多种多样的．本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征．该......
[期刊论文] 作者：姜晓鸿,郝跃,许冬岗,徐国华,
来源：电子科学学刊 年份：1998
本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。...
[期刊论文] 作者：赵天绪,郝跃,周涤非,许冬岗,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1999
随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，系统的可靠性逐渐下降．为了保证有较高的可靠性，人们将容错技术引进了集成电路的设计中．文中分析了ｄ－叉树的ｋ－ＦＴ结构的可靠性，同时讨论了如何分配......
[期刊论文] 作者：姜晓鸿,郝跃,周涤非,许冬岗,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1997
对现有的ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓的建模方法进行了比较，说明现有方法存在的问题并得到了一些有意义的结论；分析了ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓所具有的分形特征，为实现硅片表面丢失物缺陷......
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