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[会议论文] 作者：谢凡;北京师范大学低能核物理研究所(北京);杜树成;韩德俊;,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
选择高阻N型单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减少器件的暗电流.通过对比实验发现...
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