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[学位论文] 作者：谢思亮,,
来源：西安电子科技大学 年份：2021
碳化硅(SiC)功率VDMOSFET(Vertical-Diffused MOSFET)具有高耐压、高频、低功耗和低导通电阻等优势,展现出替代传统硅(Si)功率MOSFET和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的巨大潜力,而被广泛应用于各功率转换系统当中。不过与成熟的Si器件相比,SiC功率VD......
[期刊论文] 作者：陶昌隆, 张周岐, 汪春艳, 谢思亮,,
来源：化工管理 年份：2021
经济环境不断变化市场,竞争越来越激烈,企业只有不断提升自身的生产能力才能立于不败之地。基于此,文章对制造业企业的生产经营管理模式进行了研究,概述了精益生产的内涵以及...
[期刊论文] 作者：陶昌隆,张周岐,谢思亮,汪春艳,
来源：化工管理 年份：2021
数字经济的出现改变了社会互动的方式,对企业和数据信息的深入融合具有重要意义。文章简要分析了企业构建安全生产管理数字化平台的需求,然后结合安全生产管理数字化发展现状进行研究,明确平台框架设计、业务功能模块设计、信息安全设计的重点,以期提升企业核心......
[期刊论文] 作者：孙腾飞, 汤晓燕, 谢思亮, 袁昊, 张玉明,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2019
研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法。提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度,然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延...
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