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[学位论文] 作者：谢星驰,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2020
电子器件正朝着高功率密度、尺寸小型化的趋势发展,其使用环境温度也由于芯片的大量产热以及散热的不及时而逐步升高。以SiC为代表的第三代半导体材料可在高温下稳定工作,而且还具备宽禁带、击穿电压、响应速度、耐高温方面的优势。然而,SiC芯片发展急需解决的......
[期刊论文] 作者：谢星驰,
来源：建筑工程技术与设计 年份：2015
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