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[学位论文] 作者：谭少阳,
来源：中国科学院大学 年份：2015
大功率1060 nm DFB激光器具有替代固体激光器，用于非线性倍频，作为光纤激光器种子源等广泛的应用前景。 本论文总结了大功率1060-nm半导体激光器的国内外研究进展，系统研究了...
[期刊论文] 作者：谭少阳,翟腾,,
来源：电子元器件应用 年份：2012
0 引言半导体激光器是光纤通讯,激光显示,气体探测等领域中的核心部件,受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中,对激光器的光电特性的测量尤为重要...
[会议论文] 作者：孙梦蝶,谭少阳,郭菲,刘松涛,陆丹,吉晨,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2015
为实现高效率、小型化、可调谐、室温下稳定运转的半导体太赫兹(THz)波源,提出了采用光子集成技术,将两个并联的分布反馈(DFB)激光器与无源多模干涉耦合器(MMI)集成,输出THz...
[期刊论文] 作者：柯青,谭少阳,陆丹,张瑞康,王圩,吉晨,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
Optimization of the high power single-lateral-mode double-trench ridge waveguide semiconductor laser based on InGaAsP/InP quantum-well heterostructures with a s...
[期刊论文] 作者：谭少阳,翟腾,张瑞康,陆丹,王圩,吉晨,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
Internal loss is a key internal parameter for high power 1060-nm In Ga As/Al Ga As semiconductor laser.In this paper,we discuss the origin of internal loss of 1...
[期刊论文] 作者：谭少阳,王皓,张瑞康,陆丹,王圩,吉晨,
来源：光学学报 年份：2015
设计并制备了大功率高光束质量的1060 nm 波长的非对称波导半导体激光二极管.本激光二极管包含压应变InGaAs/GaAs双量子阱和GaAs/AlGaAs分别限制结构。为提高激光二极管的大功率性能，设计激光器二极管的垂直结构具有小快轴远场发散角，大光斑面积及低腔面光能密度，......
[期刊论文] 作者：淡金川,谭少阳,王邦国,肖垚,邓国亮,王俊,
来源：红外与激光工程 年份：2022
近年来，激光雷达应用对探测距离和灵敏度提出了更高的要求。905 nm半导体激光器作为其理想光源也亟待提升峰值功率与光束质量。在这个背景下，基于非对称大光腔结构研究了不同增益区类型和波导结构对905 nm隧道结脉冲半导体激光器的光束质量和功率效率的影响。通过......
[期刊论文] 作者：王薇,翟腾,王皓,谭少阳,王圩,张瑞康,吉晨,,
来源：光子学报 年份：2017
研制了双沟型脊波导结构的1 060nm分布反馈激光器.和普通脊波导激光器相比,该器件能提高在连续条件下的侧模稳定性.单模最大输出功率达到300mW边模抑制比大于45dB.采用该激光...
[期刊论文] 作者：王薇,翟腾,王皓,谭少阳,王圩,张瑞康,吉晨,
来源：光子学报 年份：2017
研制了双沟型脊波导结构的1 060nm分布反馈激光器.和普通脊波导激光器相比,该器件能提高在连续条件下的侧模稳定性.单模最大输出功率达到300mW边模抑制比大于45dB.采用该激光...
[期刊论文] 作者：柯青,谭少阳,刘松涛,陆丹,张瑞康,王圩,吉晨,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
A comprehensive design optimization of 1.55- m high power In GaAsP/In P board area lasers is performed aiming at increasing the internal quantum efficiency (ηi...
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