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[期刊论文] 作者：唐云,罗海辉,谭灿健,彭新华,
来源：设备管理与维修 年份：2020
介绍PVD的原理,描述PVD设备的结构原理和性能参数,通过实验研究了PVD镀Al膜的工艺,分析了磁控溅射中溅射时间、溅射功率、靶基距、溅射温度和靶材对最终Al膜质量的影响,为实...
[期刊论文] 作者：谭灿健,丁杰,黄建伟,罗海辉,
来源：电力电子技术 年份：2019
为满足中高频大功率市场对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和高速恢复二极管(FRD)芯片的需求,通过对IGBT的元胞结构采用背面集电极发射效率控制和局部少子寿命控制技术,在导电压降...
[期刊论文] 作者：张大华,马亮,张中华,谭灿健,刘国友,,
来源：大功率变流技术 年份：2017
基于“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)平面元胞、增强型受控缓冲层(CPT+)技术及结终端扩展(JTE)终端结构,通过引入载流子存储层、优化背面缓冲层及背面集电极结构...
[期刊论文] 作者：黄建伟,杨鑫著,刘根,罗海辉,余伟,谭灿健,,
来源：大功率变流技术 年份：2015
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填...
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