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[学位论文] 作者：谷建峰,
来源： 年份：2007
ZnO具有纤锌矿晶体结构，是一种新型的直接带隙宽带半导体，其禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60 meV，可以实现室温下的激子发射。ZnO薄膜可在低于600℃的温度下获得，较GaN，SiC和其它Ⅱ—Ⅳ族半导体宽禁带材料的制备温度低很多，这些特点使ZnO具备了作为室温短波长光电子材......
[学位论文] 作者：谷建峰,
来源：中国石油大学(北京) 年份：2020
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[期刊论文] 作者：谷建峰, 李宏,,
来源：交通与计算机 年份：2002
库场管理是港口货物流动流程中的重要环节，天津港第五港埠公司与天津港信息中心合作开发的港口库场计算机图形格式化管理系统的投入使用，为港口企业科学的管理库场提供了科学依......
[期刊论文] 作者：郝天泽, 肖华平, 刘书海, 谷建峰,,
来源：浙江大学学报(工学版) 年份：2020
为了打破传统3D打印的静止约束,增加打印结构的可变形性和可设计性,4D打印的相关研究逐渐兴起.综述了4D打印技术的发展和原理,总结了熔融沉积技术、立体光固化成型技术、聚合...
[期刊论文] 作者：刘志文,谷建峰,孙成伟,张庆瑜,,
来源：物理学报 年份：2006
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌随沉积时间的演化.通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件下,...
[期刊论文] 作者：付伟佳,刘志文,谷建峰,刘明,张庆瑜,
来源：无机材料学报 年份：2009
利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,在-10...
[期刊论文] 作者：刘明,魏玮,曲盛薇,谷建峰,马春雨,张庆瑜,,
来源：无机材料学报 年份：2008
采用反应射频磁控溅射方法,在Si（001）基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表...
[期刊论文] 作者：孙剑,白亦真,谷建峰,刘明,张庆瑜,姜辛,,
来源：发光学报 年份：2008
采用磁控溅射在自持CVD金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜，并实验研究了其生长特性和发光特性随O2和Ar流量的变化。利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）光谱、电子探针（EPMA）和霍尔测......
[期刊论文] 作者：谷建峰,付伟佳,刘明,刘志文,马春雨,张庆瑜,,
来源：物理学报 年份：2007
采用阴极还原方法,在透明导电玻璃(ITO)上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜等表征技术,研究了沉积电流对ZnO薄膜的结构、应力状态及表面形貌的影...
[期刊论文] 作者：刘志文,付伟佳,刘明,谷建峰,马春雨,张庆瑜,,
来源：电子显微学报 年份：2007
本文利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射等分析手段研究了反应射频磁控溅射截然不同的阶段,其临界转变温度在790℃附近。进一步分析表明,决定低温退火的晶粒长大机...
[期刊论文] 作者：刘明,刘志文,谷建峰,秦福文,马春雨,张庆瑜,,
来源：物理学报 年份：2008
采用反应射频磁控溅射方法,在经过不同方法处理的蓝宝石基片上,在同一条件下沉积了ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术,对基片和薄膜的结构...
[期刊论文] 作者：谷建峰,刘志文,刘明,付伟佳,马春雨,张庆瑜,,
来源：物理学报 年份：2007
利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明,低温ZnO过渡层的沉积时间所导致...
[期刊论文] 作者：刘志文,谷建峰,付伟佳,孙成伟,李勇,张庆瑜,,
来源：物理学报 年份：2006
采用射频反应磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和透射光谱分析技术,对不同工作气压下合成的ZnO...
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