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[学位论文] 作者：谷雨时,
来源：延边大学 年份：2017
砷化铟(Indium arsenide，InAs)是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的优秀代表，具有超强的电子迁移率和电子迁移速度，主要在国防通信领域具有较强的应用。本论文利用薄膜制备与刻蚀技术，在金刚......
[会议论文] 作者：刘浩,谷雨时,赵晨,吴宝嘉,
来源：第十八届中国高压科学学术会议 年份：2016
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[会议论文] 作者：赵晨,谷雨时,刘浩,吴宝嘉,
来源：第十八届中国高压科学学术会议 年份：2016
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来源：第十八届中国高压科学学术会议 年份：2016
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