搜索筛选:
搜索耗时1.3000秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 48 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：贾护军,
来源：西安电子科技大学 年份：2009
作为新一代宽禁带半导体材料的典型代表，SiC以其宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速率、高击穿电场等特点，在高温、高频、大功率、抗辐射等领域具有十分广阔的应用前景。在SiC......
[期刊论文] 作者：徐永康,贾护军,
来源：大学物理 年份：2019
针对不同教材中关于面心立方晶格和体心立方晶格的第一布里渊区的描述,本文通过对称性作图的方式直观地给出了这两种结构第一布里渊区的确定方法,并通过与空间可能存在的5种...
[会议论文] 作者：贾护军,李跃进,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
...
[会议论文] 作者：李跃进,贾护军,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：贾护军,杨银堂,
来源：无机材料学报 年份：2000
采用常压化学气相淀积工艺在１０００－１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长。实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好，但同时单晶生长速率......
[期刊论文] 作者：陈斌,黄雪峰,贾护军,,
来源：电子科技 年份：2008
碳化硅是一种宽禁带半导体材料，适用于制作大功率器件，其材料的特点决定了碳化硅的掺杂需使用离子注入技术。然而，碳化硅P型注入仍存在许多问题，是当前研究的热点。文中在总结比......
[会议论文] 作者：赵楠,贾护军,柴常春,
来源：中国电子学会第十三届青年学术年会 年份：2007
SiC材料以其优良的物理化学性能在MEMS领域得到广泛认同和使用，并在极端环境应用中成为Si材料的替代品。本文从SiC材料的特性出发，详细讨论了SiC薄膜材料的性能、制备方法，并综...
[期刊论文] 作者：韩茹,杨银堂,贾护军,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
基于器件物理分析的方法，结合沟道电势二维解析模型，分析比较了漏极引致势垒降低效应（DIBL effect）对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒，阈值电压，以及亚阈值电流的影响，并研究了其温度特......
[期刊论文] 作者：贾护军,杨银堂,李跃进,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2009
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积（APCVD）工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表...
[期刊论文] 作者：任学峰,杨银堂,贾护军,
来源：半导体技术 年份：2008
提出了一种改进的4H．SiCMESFET非线性直流解析模型，基于栅下电荷的二维分布，对该模型进行了分析，采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上，考虑沟道长度......
[期刊论文] 作者：任学峰,杨银堂,贾护军,,
来源：现代电子技术 年份：2008
提出一种改进的4H-Si CMESFET非线性直流解析模型，该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析，在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上，考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响，......
[会议论文] 作者：裴晓延,孙哲霖,贾护军,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文提出了一种具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET器件结构.仿真结果表明,具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET饱和漏极电流比传统结构大18.8％,并且击穿电...
[会议论文] 作者：孙哲霖,裴晓延,贾护军,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文提出了一种具有p型板的4H-SiC MESFET(PP-MESFET),利用栅漏漂移区上的p型板结构引入了减小表面场技术.p型板与n型沟道形成的pn结产生了垂直耗尽区,通过与沟道水平耗尽区...
[会议论文] 作者：徐俊平,杨银堂,贾护军,
来源：中国电子学会第十二届全国青年学术年会 年份：2006
在简单介绍了刻蚀SiC的几种方法的基础上重点讨论PE技术,RIE技术,ECR技术,ICP技术中对于SiC刺蚀速率的影响因素。通过前人所做的实验得出,刻蚀速率的影响因素主要是产生等离...
[会议论文] 作者：任学峰,杨银堂,贾护军,
来源：中国电子学会第十三届青年学术年会 年份：2007
基于大信号建模的方法和理论，分析了各种建模方法，为研究MESFET大信号建模提供了方法上的比较。在4H-SiC MESFET建模过程中，基于器件物理机制和物理结构考虑的物理模型已成为当...
AlGaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors on sapphire substrate with a low-temperat
[期刊论文] 作者：张军琴,杨银堂,贾护军,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2013
Unintentionally doped AlGaN thin films are grown on c-plane(0001)sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition,and low-temperature AlN is deposi...
[期刊论文] 作者：贾护军,杨银堂,柴常春,李跃进,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2009
对比研究了SiC材料在CF4＋O2混合气体中的ICP刻蚀和RIE刻蚀，获得了刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度随刻蚀功率、偏置功率、工作真空、氧含量等工艺条件的变化规律，研究结果表明，通过牺牲......
[期刊论文] 作者：朱作云, 李跃进, 柴常春, 贾护军,,
来源：电子科技 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：贾护军,杨银堂,柴常春,李跃进,
来源：人工晶体学报 年份：2006
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过...
[期刊论文] 作者：柴常春,杨银堂,李跃进,贾护军,
来源：功能材料 年份：2001
用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样...
相关搜索：
