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[期刊论文] 作者：凌云, 林殷茵, 赖连章, 乔保卫, 赖云锋, 冯洁, 汤庭,
来源：功能材料 年份：2005
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能.研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过...
[期刊论文] 作者：凌云, 林殷茵, 赖连章, 乔保卫, 赖云锋, 冯洁, 汤庭鳌,,
来源：功能材料 年份：2005
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[期刊论文] 作者：凌云,林殷茵,赖连章,乔保卫,赖云锋,冯洁,汤庭鳌,蔡炳初,Bomy.Chen,
来源：功能材料 年份：2005
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的...
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