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[期刊论文] 作者：赵凤瑷,,
来源：电子技术与软件工程 年份：2018
我国半导体材料的快速发展,带动了在制造电子构件中的广泛应用,尤其是稀磁半导体,低温性能是最大突出优势,而且可以实现逻辑以及存储的双功能的实现。随着稀磁半导体材料的发展,在室温条件下,面临目前的需求就对居里温度提出了更高要求。对此其磁性以及调控的过......
[学位论文] 作者：赵凤瑷,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2004
半导体低维结构(量子点、量子线)的应变自组装生长及对形成的纳米结构的特性的研究,不仅对在基础研究中有重要的学术意义.而且有望开拓广阔的应用前景,因而得到了国内外材料...
[期刊论文] 作者：赵凤瑷, 张春玲, 王占国,,
来源：物理 年份：2004
量子点,又称"人造原子",它是纳米科学与技术研究的重要组成部分.由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能,构成了量子器件和电路的基础,在未来的纳米电子学...
[期刊论文] 作者：赵凤瑷, 张春玲, 王占国,,
来源：物理 年份：2004
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[会议论文] 作者：赵凤瑷,徐波,金鹏,王占国,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用....
[期刊论文] 作者：张春玲,赵凤瑷,徐波,金鹏,王占国,
来源：半导体学报 年份：2004
在GaAs基InxGa1-xAs(x=0．15)应变层上生长了InAs量子点(QD)层，通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程，配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测，并观察生长后...
[会议论文] 作者：孟宪权,徐波,金鹏,李成明,张子杨,赵凤瑷,刘峰奇,王占国,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量子点光荧光(PL)的强度优于单层量子点.室温时,则是单层量子点样品的PL强度更大.由于声子瓶颈效应,不同于通常情形,量子点激发态光......
[期刊论文] 作者：朱天伟,徐波,何军,赵凤瑷,张春玲,谢二庆,刘峰奇,王占国,
来源：物理学报 年份：2004
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子...
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