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[期刊论文] 作者：张楠, 李艳, 赵方玮,
来源：电源学报 年份：2022
相比传统的硅（Si）器件，氮化镓（GaN）器件具有更低的寄生参数、更快的开关速度和更小的导通电阻，这将导致器件在开通过程中更容易发生持续振荡现象，带来电路的不稳定问题，因此在实际电路中抑制这种现象是有必要的。本文建立了常规驱动方式下桥式电路的负电导模型，分析了电......
[期刊论文] 作者：唐清, 李艳, 赵方玮, 郑琼林,,
来源：电力电子技术 年份：2017
对高频工况下氮化镓（GaN）器件的开关特性精确测量进行了研究，基于市面上两种不同类型的GaN器件，对其开关特性进行对比测试，分析高频工况下不同类型GaN器件的优势。首先，分析不同测......
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