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[会议论文] 作者：路岱辉, 苏鹏, 罗金平, 刘立军,,
来源： 年份：2004
采用数值模拟,研究三维垂直旋转式MOCVD反应器内生长AlN时副产物纳米颗粒的运动轨迹和沉积颗粒沿晶片半径方向上的分布规律,探究反应器底座旋转速度对颗粒在晶片上的沉积...
[会议论文] 作者：罗金平,路岱辉,苏鹏,刘立军,
来源：2015中国力学大会 年份：2004
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[会议论文] 作者：苏鹏,刘立军,赵磊,罗金平,路岱辉,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
MOCVD制备GaN薄膜的生长速率及晶体质量与反应腔内的压强、温度等生长条件有着密切的关联.炉腔内发生的化学反应非常复杂,制备GaN晶体过程中涉及的主要反应包括两条竞争路径:Ga (CH3)3分解反应和加和反应,副反应形成的纳米颗粒将降低晶体的质量和Ga源体的利用率......
[会议论文] 作者：罗金平,刘立军,苏鹏,路岱辉,赵磊,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
GaN薄膜的应用范围广泛,MOCVD是生长GaN薄膜的重要技术,研究GaN薄膜的生长机制对于提高薄膜质量具有重要意义.本研究运用分子动力学模拟技术,采用Tersoff原子间势函数,研究了薄膜生长温度和V/Ⅲ组分比例对(0001)方向GaN薄膜生长初期表面形貌粗糙度的影响规律.......
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