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[期刊论文] 作者：达小丽,沈光地,徐晨,朱彦旭,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
模拟计算了光的入射角度与反射率的关系，当光的入射角度大于23°时，发生全反射，无论是否在器件表面生长增透膜，这时的光都无法从器件顶部出射表面提取出来。研究了使用等离子......
[期刊论文] 作者：达小丽,郭霞,关宝璐,董立闽,沈光地,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
研究了在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备氮化硅薄膜时，射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系。通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张......
[期刊论文] 作者：达小丽,沈光地,徐晨,邹德恕,朱彦旭,张剑铭,,
来源：中国科学(F辑:信息科学) 年份：2009
为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x...
[期刊论文] 作者：于晓东, 韩军, 李建军, 邓军, 林委之, 达小丽, 陈依新,,
来源：半导体学报 年份：2007
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[期刊论文] 作者：渠红伟, 郭霞, 董立闽, 邓军, 达小丽, 徐遵图, 沈光,
来源：激光与红外 年份：2005
借助于SV 32低温恒温器及LD2002C5VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在 -10℃ ~70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜...
[期刊论文] 作者：郭霞,董立闽,渠红伟,达小丽,杜金玉,邓军,沈光地,
来源：半导体学报 年份：2005
采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激...
[期刊论文] 作者：于晓东,韩军,李建军,邓军,林委之,达小丽,陈依新,沈光地,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As／AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性，用LP—MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构，测...
[期刊论文] 作者：达小丽,沈光地,刘建平,牛南辉,朱彦旭,梁庭,邹德恕,郭霞,,
来源：北京工业大学学报 年份：2008
为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果，将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上，通过改变射频源功率，分别使用N2、N2O和NH3等离子体对GaN发光二极......
[会议论文] 作者：郭霞,董立闽,达小丽,渠红伟,邓军,杜金玉,邹德恕,沈光地,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个性能参数的影响,如氧化孔......
[会议论文] 作者：关宝璐;郭霞;王红航;渠红伟;达小丽;董立敏;陈敏;沈光地;,
来源：中国电子学会第十一届青年学术年会 年份：2005
本文研究、设计了应用在波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)上的MEMS悬臂梁结构,考虑到悬臂梁自身应力的影响,通过PECVD高低频交替生长的办法改变Si3N4薄膜应力,使多层SiO2...
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